실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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작성일 19-10-13 14:43
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Ⅱ. experiment(실험) 결과 및 分析
드레인 property(특성)(게이트 제어) experiment(실험)은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 change(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(測定) 한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 property(특성)곡선 그래프이다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다.
Ⅱ. experiment(실험) 결과 및 分析
드레인 property(특성)(게이트 제어) experiment(실험)은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 change(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(測定) 한다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
13
15
VGS, V
-0.8
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.7
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.6
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.5
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.4
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.3
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.2
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-…(drop)
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실험결과/기타
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
...
`experiment(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. experiment(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)property(특성)을 experiment(실험)적으로 결정한다.
순서
실험9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
설명
`experiment(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. experiment(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)property(특성)을 experiment(실험)적으로 결정한다.
experiment(실험)한 결과를 아래의 표로 정리(arrangement)하고, 이를 이용하여 property(특성)곡선을 그려보았다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, property(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 experiment(실험)이 다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 property(특성)곡선 그래프이다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, property(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 experiment(실험)이 다.
experiment(실험)한 결과를 아래의 표로 정리(arrangement)하고, 이를 이용하여 property(특성)곡선을 그려보았다.
